各實驗站管理人員

實驗站編號	管理人	實驗站位置	實驗站基本功能
材料A站	敖昱弘	L325 最靠近 air shower的長方形腔體 使用 Pro-350 (B) Nd:YAG laser 使用 INDI (B) Nd:YAG laser	355 nm pulsed laser deposition 532 nm pulsed laser annealing
材料B站	翁莉芳	L325 工作桌前大圓形腔體 使用 Pro-350 (D) Nd:YAG laser	266 nm pulsed laser deposition 266 nm MAPLE
材料C站		L325 南側西翼正方形腔體 使用EKSPLA NL220-1K Nd:YAG laser
材料D站		L325 南側西翼長方形腔體 使用SFTL-Cr:ZnS-2406-500 laser
材料E站		L325 南側東翼長方形腔體 使用 Pro-350 (A) Nd:YAG laser
材料F站		L325 靠主配電箱	ultrahigh vacuum
材料G站	陳亮宇	L325 工作桌前小圓形腔體 使用 Pro-350 (C) Nd:YAG laser 使用 DILAS 800 nm, 40 W diode laser	532 nm pulsed laser deposition 800 nm CW laser annealing
材料H站	敖昱弘	L325東翼、Ti: sapphire laser旁 使用Verdi 532 nm CW laser	532 nm laser-induced solution-phase deposition 532 nm CW laser annealing
材料I站		L325東翼 Ti:sapphire femtosecond 100-uJ 1-kHz laser
材料J站	林晉賢	L313 氮氣手套箱 1064 nm, 40 W, CW/modulated fiber laser	1064 nm laser-induced solution-phase deposition 1064 nm laser annealing
材料K站	翁莉芳	L313 化學工作桌	solar hydrogen production characterization three-electrode electrochemical characterization
材料L站	陳亮宇	L325 中間光學桌東側 FTIR MIR monochromator NIR monochromator	MIR diode laser characterization NIR photodetector characterization MIR photodetector characterization
材料M站		L325東翼南側 使用材料I站 Ti:sapphire femtosecond sub-mJ 1 kHz laser	femtosecond pump-probe experiments
生醫A站		L325東翼南側 使用 Ti:sapphire femtosecond sub-mJ 1 kHz laser	cell machining nonlinear optical microscopy
生醫B站	林松賢	L325東翼南側 螢光顯微鏡、gating、cell culture chamber	live cell time-lapse microscopy photobiomodulation
生醫C站	林志弘	L325東翼南側，可用於生醫B站或原分所共焦顯微鏡 temporal modulation of laser beam spatiao-temporal modulation of laser beam 使用 637 nm 或 820 nm diode laser (可更換)	photobiomodulation
生醫D站	邢永年	L313 光學台車	Raman and fluorescence confocal microscopy electron spin resonance
生醫E站	邢永年	L313 實驗桌	cell culture substrate micropatterning bioprinting
生醫F站	鐘晉毅	L325 中間光學桌西側	extracellular vesicle production 660 nm photodynamic therapy